2025年9月15日，天津大学武恩秀副研究员受中心邀请开展学术交流。武恩秀研究员做了题为“二维原子层半导体光电掺杂技术及新型信息器件应用”的学术报告。报告由陈珂教授主持，中心教师和研究生参加了报告会。
武恩秀研究员在报告重点介绍了二维原子层半导体光电掺杂技术及新型信息器件应用。发展原子级制造是我国掌握未来发展主动权的关键战略方向之一，而实现从“二维层状材料”到“功能化信息器件”的构建与调控是推动原子级制造发展的重要内容。本报告聚焦光与二维原子层材料的相互作用，提出一种兼具“可控、可重构、非易失”特性的光电掺杂核心基础技术，实现p型、n型、双极性及反双极性晶体管的动态可重构，并应用于构建新型三值反相器、高容量光电闪存器件以及存算一体化的光电突触器件，为后摩尔时代基于二维原子层材料的信息器件应用与发展提供了解决方案。
报告人简介：
武恩秀，天津大学精仪学院副研究员，院长助理，博士生导师。主要致力于新型二维半导体器件输运特性调控及新型传感、存储和逻辑运算器件设计，以及突触晶体管、忆阻器等存算一体、感存算一体化器件应用研究。目前，主持国家重点研发计划“智能传感器”专项“揭榜挂帅”项目子课题一项；国家基金委面上项目、青年项目各一项（共2项）；天津市自然科学基金重点项目、天津市自然科学基金青年项目、全重实验室开放课题、松山湖实验室开放课题等省部级项目7项，百万级横向项目2项。以第一作者和通讯作者身份在Science Advance、ACS Nano、Nano Letters、Advanced Functional Materials等国内外知名期刊上发表高水平SCI文章33篇，以第一发明人授权专利3项，受邀担任Nano Research、Materials Future等期刊青年编委。
