2021年12月18日上午，应陈珂教授邀请，北京理工大学刘方泽副教授在学院A311会议室为我院师生做了题为“二维材料在光电阴极中的应用”的学术报告。报告由陈珂教授主持，我部分教师及研究生参加了该报告会。
刘方泽副教授围绕着报告主题向各位师生介绍了课题组目前的工作。首先是对于应用二维材料保护层提高多碱锑化物光电阴极稳定性的研究，实现了在悬空少层石墨烯薄膜上直接生长高质量K2CsSb光电阴极，并验证了K2CsSb发出的光电子可以有效的穿透石墨烯保护层，对于进一步实现全包覆的光电阴极具有重要意义。另外还介绍了将钙钛矿薄膜应用于负电子亲和势光电阴极的工作。在用溶液法制备的钙钛矿薄膜表面蒸镀单原子层的铯可以作为负电子亲和势材料，和传统三五族半导体相比，负电子亲和势的钙钛矿薄膜的稳定性得到了极大提高。
刘方泽副教授在讲座的最后与在场的师生就感兴趣的问题进行了深入的讨论以及细致的讲解，随后讲座在热烈的掌声中结束。
报告人简介：
刘方泽，北京理工大学前沿交叉科学研究院预聘副教授，博士生导师。2009年获得复旦大学学士学位，2015年毕业于美国东北大学(Northeastern University)，获得物理学博士学位，2015年至2021年在美国洛斯阿拉莫斯实验室从事博士后研究，2021年9月加入北京理工大学。长期进行基于二维材料异质结的光电器件研究，发表学术论文40余篇，第一或通讯作者论文发表于Nature Communications, Science Advances, Materials Today, ACS Nano, ACS Applied Materials & Interfaces等期刊，他引2000余次。
